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在電子學(xué)中，稱為達(dá)林頓配置(通常稱為達(dá)林頓對(duì))的多晶體管是由兩個(gè)雙極晶體管組成的電路，其中一個(gè)晶體管的發(fā)射極連接到另一個(gè)晶體管的基極，這樣電流被第一個(gè)晶體管放大被第二個(gè)進(jìn)一步放大。兩個(gè)晶體管的集電極連接在一起，這種配置比單獨(dú)采用的每個(gè)晶體管具有更高的...

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近年來(lái)，脈沖式半導(dǎo)體激光器的應(yīng)用越來(lái)越廣泛。由于它增益帶寬寬、體積小效率高，而且壽命長(zhǎng)、價(jià)格低廉，因此，無(wú)論軍用或民用都倍受世人青睞采用增益開(kāi)關(guān)法即直接注入射頻信號(hào)驅(qū)動(dòng)半導(dǎo)體激光器，也可產(chǎn)生超短光脈沖，相比于調(diào)Q法、鎖模法，其無(wú)需任何光學(xué)器件，適用于...

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單結(jié)晶體管(簡(jiǎn)稱UJT)又稱基極二極管，是一種常用的半導(dǎo)體器件，它雖有三個(gè)管腳，很像半導(dǎo)體三極管，但它只有一個(gè)pN結(jié)，即一個(gè)發(fā)射極和兩個(gè)基極，所以又稱它為雙基極二極管;它的基片為條狀的高阻N型硅片，兩端分別用歐姆接觸引出兩個(gè)基極b1和b2，在硅片中間...

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由于電力晶體管既具備晶體管飽和壓降低、開(kāi)關(guān)時(shí)間短和安全工作區(qū)寬等固有特性，又增大了功率容量;因此由它所組成的電路靈活、成熟、開(kāi)關(guān)損耗小、開(kāi)關(guān)時(shí)間短，在電源、電機(jī)控制、通用逆變器等中等容量、中等頻率的電路中應(yīng)用廣泛。缺點(diǎn)是驅(qū)動(dòng)電流較大、耐浪涌電流能力差...

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電力晶體管(英文：Giant Transistor，簡(jiǎn)稱GTR)是是一種耐高電壓、大電流的雙極結(jié)型晶體管(Bipolar Junction Transistor—BJT)，所以有時(shí)也稱為Power BJT;具有自關(guān)斷能力，并有開(kāi)關(guān)時(shí)間短、飽和壓降低和...

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晶體管是模擬電路中基礎(chǔ)的器件，是規(guī)范操作電腦，手機(jī)，和所有其它現(xiàn)代電子電路的基本構(gòu)建塊。由于其響應(yīng)速度快，準(zhǔn)確性高，晶體管可用于各種各樣的數(shù)字和模擬功能，包括放大，開(kāi)關(guān)，穩(wěn)壓，信號(hào)調(diào)制和振蕩器。晶體管可獨(dú)立包裝或在一個(gè)非常小的的區(qū)域，可容納一億或更多...

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隨著電子設(shè)備的不斷更新，其的性能要求也越來(lái)越高，在某些電子設(shè)備的電路設(shè)計(jì)與研發(fā)中，不僅是開(kāi)關(guān)電源電路，還是攜帶式電子設(shè)備的電路，都使用了場(chǎng)效應(yīng)晶體管。場(chǎng)效應(yīng)晶體管是利用控制輸入回路的電場(chǎng)效應(yīng)來(lái)控制輸出回路電流的一種半導(dǎo)體器件，可應(yīng)用于放大、可變電阻等...

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絕緣柵雙極晶體管(Insulate-Gate Bipolar Transistor—IGBT)綜合了電力晶體管(Giant Transistor—GTR)和電力場(chǎng)效應(yīng)晶體管(Power MOSFET)的優(yōu)點(diǎn)，具有良好的特性，應(yīng)用領(lǐng)域很廣泛;IGBT也...

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場(chǎng)效應(yīng)晶體管(Field Effect Transistor縮寫(xiě)(FET))簡(jiǎn)稱場(chǎng)效應(yīng)管。由多數(shù)載流子參與導(dǎo)電，也稱為單極型晶體管。它屬于電壓控制型半導(dǎo)體器件。具有輸入電阻高(107～1015Ω)、噪聲小、功耗低、動(dòng)態(tài)范圍大、易于集成、沒(méi)有二次擊穿現(xiàn)...

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晶體管作為一種可變電流開(kāi)關(guān)，能夠基于輸入電壓控制輸出電流。與普通機(jī)械開(kāi)關(guān)(如Relay、switch)不同，晶體管利用電信號(hào)來(lái)控制自身的開(kāi)合，所以開(kāi)關(guān)速度可以非常快，實(shí)驗(yàn)室中的切換速度可達(dá)100GHz以上。但無(wú)論是專業(yè)無(wú)線電維修人員。還是業(yè)余無(wú)線電愛(ài)...

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